i-Line 负性厚膜光刻胶系列采用安全溶剂，具有曝光能量低、清晰度高、分辨率高、光刻工艺成品率高等诸多优点。广泛应用于多层MEMS传感器芯片、功率器件芯片的钝化层、保护层、隔离层等工艺制程。适用于各种衬底Substrate上的投影式、接近式和接触式光刻成像工艺以及湿法和干法蚀刻工艺要求。

• i-Line 负性厚膜光刻胶
• i-Line Broadband Negative-Tone Thick Film Photoresist
• 高纵宽比 (High aspect ratio)
• 适用于湿、干蚀刻 (Wet & Dry Etching)
• 抗蚀刻、抗电镀应用
• 高耐热稳定性 (High thermal stability)
• 高工艺宽容度 (Wide process windows)
• 线宽线距 L/S:  2.0 µm ~ > 10.0 µm
• 膜厚 2 µm to 20 µm （旋转涂布，Spin-Coating)

产品系列：

NPR 1460 负性厚膜光刻胶系列

• 适合用于接触式曝光 2 至 10 µm 厚膜涂层应用
• 参数介绍：《SP-NPR1460中文2018版本-SGT01》，请点击获取。

NPR 1465 负性厚膜光刻胶系列

• 适合用于接触式、接近式、投影式曝光 2 至 15µm 厚膜涂层应用
• 参数介绍：《SP-NPR1465中文2018版本-SGT01》，请点击获取。

NPR 1240PIC 负性厚膜光成像PI系列

• 适合用于接触式、接近式曝光 4.0 至 9.0µm厚膜涂层应用
• 参数介绍：《SP-NPR1240PIC中文2018版本-SGT01》，请点击获取。