i-Line 正性厚膜光刻胶系列采用安全溶剂，具有曝光能量低、清晰度高、分辨率高、光刻工艺成品率高等诸多优点。广泛应用于多层MEMS传感器芯片、功率器件芯片的钝化层、保护层、隔离层等工艺制程。适用于各种衬底Substrate上的投影式、接近式和接触式光刻成像工艺以及湿法和干法蚀刻工艺要求。

产品系列：

PPR 1020 光刻胶

• i-Line 正性厚膜光刻胶
• i-Line Broadband Positive-Tone Thick Film Photoresist
• 高纵宽比 (High aspect ratio)
• 适用于湿、干蚀刻 (Wet & Dry Etching)
• 高耐热稳定性 (High thermal stability)
  
• 高工艺宽容度 (Wide process windows)
• 线宽线距 L/S:  0.5 µm ~ 10.0 µm
• 膜厚 3 µm to 13 µm （旋转涂布，Spin-Coating)

产品参数：《SP-PPR1020 正性厚膜光刻胶》，请点击获取。

产品系列：

PPR 1030 光刻胶

KrF正性厚膜光刻胶   KrF Positive-Tone Thick Film Photoresist

• 高纵宽比 (High aspect ratio)
• 适用于湿、干蚀刻 (Wet & Dry Etching)
• 高耐热稳定性 (High thermal stability)
• 高工艺宽容度 (Wide process windows)
• 非 PFOS、PFAS 材质

产品参数：《SP-PPR1030 正性厚膜光刻胶》，请点击获取。